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SUP75P03-07-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.0055Ohm; ID -75A; TO-220AB; PD 187W; VGS +/-20V; -55d

Siliconix / Vishay SUP75P03-07-E3
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
SUP75P03-07-E3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70026133
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
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SUP75P03-07-E3產(chǎn)品信息

  Brand/Series  SUP Series  
  Capacitance, Input  9000 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -65 A  
  Dimensions  10.51 x 4.65 x 15.49 mm  
  Gate Charge, Total  160 nC  
  Height  0.61" (15.49mm)  
  Length  0.413" (10.51mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  187 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.013 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  150 ns  
  Time, Turn-On Delay  25 ns  
  Transconductance, Forward  20 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  160 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.183" (4.65mm)  
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Vishay MOSFET Transistors Current, Drain -65 A   Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm   Gate Charge, Total 160 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.61" (15.49mm)  Siliconix / Vishay Height 0.61" (15.49mm)  MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)   Length 0.413" (10.51mm)  Siliconix / Vishay Length 0.413" (10.51mm)  MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)   Mounting Type Through Hole  Siliconix / Vishay Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  Siliconix / Vishay Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 187 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 187 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 187 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 187 W   Resistance, Drain to Source On 0.013 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.013 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.013 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.013 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 150 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 150 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 150 ns  Siliconix / Vishay MOSFET 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