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SUD40N04-10A-E3 - 

MOSFET; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0075Ohm; ID 40A; TO-252; PD 71W; VGS +/-20V; gFS 40S

Siliconix / Vishay SUD40N04-10A-E3
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
SUD40N04-10A-E3
倉庫庫存編號:
70026132
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
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SUD40N04-10A-E3產(chǎn)品信息

  Brand/Series  SUD Series  
  Capacitance, Input  1700 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  40 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.38 mm  
  Gate Charge, Total  35 nC  
  Height  0.094" (2.38mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-252  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  71 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.028 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  40 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  35 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Vishay MOSFET Transistors Current, Drain 40 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38 mm   Gate Charge, Total 35 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 35 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 35 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 35 nC   Height 0.094" (2.38mm)  Siliconix / Vishay Height 0.094" (2.38mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.38mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.094" (2.38mm)   Length 0.264" (6.73mm)  Siliconix / Vishay Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-252  Siliconix / Vishay Package Type TO-252  MOSFET Transistors Package Type TO-252  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-252   Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 71 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 71 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W   Resistance, Drain to Source On 0.028 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.028 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.028 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.028 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 30 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 30 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 40 S  Siliconix / Vishay Transconductance, Forward 40 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 40 S  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Transconductance, Forward 40 S   Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 40 V   Voltage, Drain to Source 40 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain 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