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產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,

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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.54 Ohms; ID +/-7A; TO-247; PD 195W; VGS +/-30
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3675-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212497
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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q)
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：FMH11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241511
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NTE Electronics, Inc.
POWER MOSFET N-CHANNEL 900V ID=8A TO-3PCASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：NTE2377
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70215905
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Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 3.7 Ohms; ID 1.9A; TO-220 Full-Pak; PD 35W
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：IRFIBF30GPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70078916
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Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.6 Ohms; ID 6.7A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：IRFPF50PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70078952
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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.22 Ohms; ID +/-9A; TO-220AB; PD 270W; VGS +/-
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3678-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212472
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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 0.79Ohm; ID 13A; TO-247; PD 355W; VGS +/-30V
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3875-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212498
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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.54 Ohms; ID +/-7A; TO-220AB; PD 225W; VGS +/-
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3533-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212496
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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 120W; TO-220F(SLS)
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：FMV11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241497
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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.08 Ohms; ID +/-40A; TO-247; PD 270W; VGS +/-3
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3549-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212471
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Fuji Semiconductor
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.54 Ohms; ID +/-7A; TO-247; PD 195W; VGS +/-30
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：2SK3675-01
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70212497
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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q)
產(chǎn)品分類(lèi)：Discrete Semiconductors,規(guī)格：Voltage, Breakdown, Drain to Source 900 V,
型號(hào)：FMH11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241511
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