IRLS4030TRLPBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 11360 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 11360 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 11360 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 11360 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 180 A  International Rectifier Current, Drain 180 A  MOSFET Transistors Current, Drain 180 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 180 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm   Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier Height 0.18" (4.576mm)  MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 370 W  International Rectifier Power Dissipation 370 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 370 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 370 W   Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 110 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 110 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 110 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 110 ns   Time, Turn-On Delay 74 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 74 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 74 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 74 ns   Transconductance, Forward 320 S  International Rectifier Transconductance, Forward 320 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 320 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 320 S   Typical Gate Charge @ Vgs 87 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 87 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 87 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 87 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)