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IRLMS1503TRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID 3.2A; Micro6 (SOT-23); PD 1.7W; -55de

International Rectifier IRLMS1503TRPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRLMS1503TRPBF
倉庫庫存編號：
70017820
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRLMS1503TRPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLMS1503TRPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLMS1503TRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  210 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  3.2 A  
  Dimensions  3.00 x 1.75 x 1.15 mm  
  Gate Charge, Total  6.4 nC  
  Height  0.045" (1.15mm)  
  Length  0.118" (3mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-23  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  1.7 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.2 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  10 ns  
  Time, Turn-On Delay  4.6 ns  
  Transconductance, Forward  1.1 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  6.4 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.069" (1.75mm)  
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Drain 3.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain 3.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 3.2 A   Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  International Rectifier Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm   Gate Charge, Total 6.4 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 6.4 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 6.4 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 6.4 nC   Height 0.045" (1.15mm)  International Rectifier Height 0.045" (1.15mm)  MOSFET Transistors Height 0.045" (1.15mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.045" (1.15mm)   Length 0.118" (3mm)  International Rectifier Length 0.118" (3mm)  MOSFET Transistors Length 0.118" (3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.118" (3mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-23  International Rectifier Package Type SOT-23  MOSFET Transistors Package Type SOT-23  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-23   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 1.7 W  International Rectifier Power Dissipation 1.7 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.7 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 1.7 W   Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns   Time, Turn-On Delay 4.6 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 4.6 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.6 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.6 ns   Transconductance, Forward 1.1 S  International Rectifier Transconductance, Forward 1.1 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.1 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.1 S   Typical Gate Charge @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 6.4 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International 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(1.75mm)  
電話:400-900-3095
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