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IRFS4310PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3V

International Rectifier IRFS4310PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFS4310PBF
倉庫庫存編號：
70017258
技術數(shù)據(jù)表：
View IRFS4310PBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFS4310PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFS4310PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  7670 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  130 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  170 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  300 W  
  Resistance, Drain to Source On  7 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  68 ns  
  Time, Turn-On Delay  26 ns  
  Transconductance, Forward  160 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  170 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 130 A  MOSFET Transistors Current, Drain 130 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 130 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 170 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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