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IRFHM4226TRPBF - 

MOSFET, 25V, 40A, 2.2m?, 17nC, PQFN3.3x3.3 single

International Rectifier IRFHM4226TRPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFHM4226TRPBF
倉庫庫存編號：
70394801
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFHM4226TRPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFHM4226TRPBF產(chǎn)品概述

IR's FastIRFET™ family offers benchmark performance with best in-class R*Q figure of merit. The family features optimized packaging tailored to application requirements for size reduction. Ideal for high frequency applications requiring low switching loss or high light load efficiency. Excellent choices for DC-DC and POL cutting edge applications, such as base station power amplifiers, high performance DC-DC bricks, Platinum+ power supplies and high end battery driven motors.

Features:
  • Low RDSon (<2.2 mΩ)
  • Low Charge (Typical 16 nC)
  • Low Thermal Resistance to PCB (<3.2°C/W)
  • Low Profile (<0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1

    • IRFHM4226TRPBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  nC  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  28 A  
      Dimensions  3.3 x 3.3 x 0.9 mm  
      Height  0.035" (0.9mm)  
      Length  0.129" (3.3mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  PQFN  
      Power Dissipation  2.7 W  
      Resistance, Drain to Source On  2.2 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  14 ns  
      Time, Turn-On Delay  11 ns  
      Transconductance, Forward  136 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  16  
      Voltage, Drain to Source  25 V  
      Voltage, Forward, Diode  1 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.13" (3.3mm)  
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Drain 28 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 28 A   Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  International Rectifier Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm   Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier Height 0.035" (0.9mm)  MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)   Length 0.129" (3.3mm)  International Rectifier Length 0.129" (3.3mm)  MOSFET Transistors Length 0.129" (3.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.129" (3.3mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PQFN  International Rectifier Package Type PQFN  MOSFET Transistors Package Type PQFN  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type PQFN   Power Dissipation 2.7 W  International Rectifier Power Dissipation 2.7 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.7 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.7 W   Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International 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