IRFB4321PBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 85 A  International Rectifier Current, Drain 85 A  MOSFET Transistors Current, Drain 85 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 85 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 350 W  International Rectifier Power Dissipation 350 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 350 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 350 W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Time, Turn-On Delay 18 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 18 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 18 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 18 ns   Transconductance, Forward 130 S  International Rectifier Transconductance, Forward 130 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 130 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 130 S   Typical Gate Charge @ Vgs 71 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 71 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 71 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 71 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V