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IRFB38N20DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.054Ohm; ID 43A; TO-220AB; PD 300W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB38N20DPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFB38N20DPBF
倉庫庫存編號：
70017523
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFB38N20DPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFB38N20DPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFB38N20DPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2900 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  43 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.02 mm  
  Gate Charge, Total  60 nC  
  Height  0.355" (9.02mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  300 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.054 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.47 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  29 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  17 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  60 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.5 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 60 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 60 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 60 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 60 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 300 W  International Rectifier Power Dissipation 300 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W   Resistance, Drain to Source On 0.054 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.054 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.054 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.054 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.47 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.47 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.47 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.47 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 29 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 29 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 29 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 29 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier Transconductance, Forward 17 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S   Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.5 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.5 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V   Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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