IRFB3004PBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 9200 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 9200 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 9200 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 9200 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 340 A  International Rectifier Current, Drain 340 A  MOSFET Transistors Current, Drain 340 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 340 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 380 W  International Rectifier Power Dissipation 380 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W   Resistance, Drain to Source On 1.75 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 1.75 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.75 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.75 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 90 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 90 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 90 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 90 ns   Time, Turn-On Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 23 ns   Transconductance, Forward 1170 S  International Rectifier Transconductance, Forward 1170 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1170 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1170 S   Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)