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IRF9Z34NPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID -19A; TO-220AB; PD 68W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF9Z34NPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF9Z34NPBF
倉庫庫存編號：
70017018
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF9Z34NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF9Z34NPBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9Z34NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -19 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  35 nC  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  68 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.1 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  4.2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 35 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
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電話:400-900-3095
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