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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Current, Drain 10 A  International Rectifier Current, Drain 10 A  MOSFET Transistors Current, Drain 10 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 10 A   Gate Charge, Total 7.4 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 7.4 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 7.4 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 7.4 nC   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 0.0134 Ohms  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.0134 Ohms  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.0134 Ohms  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.0134 Ohms   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 9.7 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 9.7 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 9.7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 9.7 ns   Time, Turn-On Delay 6.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 6.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.2 ns   Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier Transconductance, Forward 24 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S   Type Dual Power  International Rectifier Type Dual Power  MOSFET Transistors Type Dual Power  International Rectifier MOSFET Transistors Type Dual Power   Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V