amphenol代理商
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)
庫(kù)存查詢(xún)
美國(guó)1號(hào)分類(lèi)選型新加坡2號(hào)分類(lèi)選型英國(guó)10號(hào)分類(lèi)選型英國(guó)2號(hào)分類(lèi)選型日本5號(hào)分類(lèi)選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門(mén)搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF8113PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 4.7Milliohms; ID 17.2A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-2

International Rectifier IRF8113PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRF8113PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017009
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF8113PBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線(xiàn): 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫(kù)龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請(qǐng)與銷(xiāo)售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫(kù)數(shù)量,謝謝合作!

IRF8113PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2910 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  17.2 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  24 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  6.8 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  17 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  73 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  24 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
關(guān)鍵詞         

IRF8113PBF相關(guān)搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2910 pF @ 15 V  International Rectifier Capacitance, Input 2910 pF @ 15 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2910 pF @ 15 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2910 pF @ 15 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 17.2 A  International Rectifier Current, Drain 17.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 24 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 6.8 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 6.8 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.8 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.8 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 17 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 73 S  International Rectifier Transconductance, Forward 73 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 73 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 73 S   Typical Gate Charge @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 24 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
電話(huà):400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡(jiǎn)介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動(dòng)態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊(cè) | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 m.habitrun.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書(shū)號(hào):粵ICP備11103613號(hào)