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IRF8010PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 12Milliohms; ID 80A; TO-220AB; PD 260W; -55deg

International Rectifier IRF8010PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF8010PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017008
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF8010PBF Datasheet Datasheet
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IRF8010PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF8010PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3830 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  80 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 8.77 mm  
  Gate Charge, Total  81 nC  
  Height  0.345" (8.77mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  260 W  
  Resistance, Drain to Source On  15 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  61 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  82 V  
  Typical Gate Charge @ Vgs  81 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Rectifier Current, Drain 80 A  MOSFET Transistors Current, Drain 80 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 80 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm   Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 81 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC   Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier Height 0.345" (8.77mm)  MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 260 W  International Rectifier Power Dissipation 260 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 260 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 260 W   Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International 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Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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