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IRF7478TRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 20 Milliohms; ID 7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF7478TRPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產(chǎn)品編號:
IRF7478TRPBF
倉庫庫存編號:
70017717
技術數(shù)據(jù)表:
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IRF7478TRPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRF7478TRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1740 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  7 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  21 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  30 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  44 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.7 ns  
  Transconductance, Forward  17 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  21 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain 7 A  International Rectifier Current, Drain 7 A  MOSFET Transistors Current, Drain 7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 7 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 21 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 21 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 21 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 21 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 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°C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 44 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns   Time, Turn-On Delay 7.7 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.7 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.7 ns   Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier Transconductance, Forward 17 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S   Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 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