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IRF7389PBF - 

IRF7389PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 5.3 A, 7.3 A, 30 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7389PBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRF7389PBF
倉庫庫存編號:
70017548
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF7389PBF Datasheet Datasheet
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IRF7389PBF產(chǎn)品概述

  • Generation V Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Complimentary Half Bridge
  • Surface Mount
  • Fully Avalanche rated
  • Lead-Free
  • IRF7389PBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  650 pF @ 25 V (N), 710 pF @ -25 V (P)  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N, P  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  -5.3 (P), 7.3 (N) A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  22/23 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel and P-Channel  
      Power Dissipation  2.5 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.046 (N), 0.098 (P) Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  50 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  26 (N), 34 (P) ns  
      Time, Turn-On Delay  13 (P), 8.1 (N) ns  
      Transconductance, Forward  14 (N), 7.7 (P) S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  22 nC @ 10 V (N), 23 nC @ -10 V (P)  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  30/-30 V  
      Voltage, Drain to Source  -30 (P), 30 (N) V  
      Voltage, Forward, Diode  0.78/-0.78 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain -5.3 (P), 7.3 (N) A  International Rectifier Current, Drain -5.3 (P), 7.3 (N) A  MOSFET Transistors Current, Drain -5.3 (P), 7.3 (N) A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -5.3 (P), 7.3 (N) A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 22/23 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 22/23 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 22/23 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 22/23 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel and P-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel and P-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel and 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