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IRF7329PBF - 

MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de

International Rectifier IRF7329PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRF7329PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017580
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF7329PBF Datasheet Datasheet
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IRF7329PBF產(chǎn)品概述

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRF7329PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3450 pF @ -10 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Source, Quad Drain  
  Current, Drain  -9.2 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  38 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  2  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  Dual P-Channel  
  Power Dissipation  2 W  
  Resistance, Drain to Source On  30 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  340 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  25 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  38 nC @ -4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -12 V  
  Voltage, Drain to Source  -12 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±8 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Source, Quad Drain   Current, Drain -9.2 A  International Rectifier Current, Drain -9.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 38 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 38 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 38 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 38 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization Dual P-Channel  International Rectifier Polarization Dual P-Channel  MOSFET Transistors Polarization Dual P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization Dual P-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET 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Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 340 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 340 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 340 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 340 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 25 S  International Rectifier Transconductance, Forward 25 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 25 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 25 S   Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V   Voltage, Breakdown, 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