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IRF530NSPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 90Milliohms; ID 17A; D2Pak; PD 70W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF530NSPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產品編號：
IRF530NSPBF
倉庫庫存編號：
70017477
技術數(shù)據(jù)表：
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IRF530NSPBF產品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF530NSPBF產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  920 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  37 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  70 W  
  Resistance, Drain to Source On  90 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  35 ns  
  Time, Turn-On Delay  9.2 ns  
  Transconductance, Forward  12 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 37 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 37 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 70 W  International Rectifier Power Dissipation 70 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 70 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 70 W   Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 90 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 35 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 35 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns   Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns   Transconductance, Forward 12 S  International Rectifier Transconductance, Forward 12 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 12 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 12 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International 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