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IRF2804PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 1.8Milliohms; ID 280A; TO-220AB; PD 330W; -55de

International Rectifier IRF2804PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF2804PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70016946
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRF2804PBF產(chǎn)品概述

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications. Features:
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed Up to Tj Max.
  • Lead-Free

    • IRF2804PBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  6450 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  270 A  
      Dimensions  10.66 x 4.82 x 9.02 mm  
      Gate Charge, Total  160 nC  
      Height  0.355" (9.02mm)  
      Length  0.419" (10.66mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-220AB  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  300 W  
      Resistance, Drain to Source On  2.3 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  130 ns  
      Time, Turn-On Delay  13 ns  
      Transconductance, Forward  130 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  160 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  40 V  
      Voltage, Drain to Source  40 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.19" (4.82mm)  
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Rectifier Current, Drain 270 A  MOSFET Transistors Current, Drain 270 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 270 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting 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