amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

AUIRF3805 - 

AUIRF3805 N-channel MOSFET Transistor, 210 A, 55 V, 4-Pin TO-220AB

International Rectifier AUIRF3805
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
AUIRF3805
倉庫庫存編號:
70411495
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View AUIRF3805 Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時在庫數(shù)量,謝謝合作!

AUIRF3805產(chǎn)品概述

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • AUIRF3805產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  7960 pF V @ 25  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain, Single  
      Current, Drain  210 A  
      Dimensions  10.66 x 4.82 x 16.51 mm  
      Height  0.65" (16.51mm)  
      Length  0.419" (10.66mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  4  
      Package Type  TO-220AB  
      Power Dissipation  300 W  
      Resistance, Drain to Source On  3.3 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  93 ns  
      Time, Turn-On Delay  150 ns  
      Typical Gate Charge @ Vgs  190 nC V @ 10  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.19" (4.82mm)  
    關(guān)鍵詞         

    AUIRF3805相關(guān)搜索

    Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 7960 pF V @ 25  International Rectifier Capacitance, Input 7960 pF V @ 25  MOSFET Transistors Capacitance, Input 7960 pF V @ 25  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 7960 pF V @ 25   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain, Single  International Rectifier Configuration Dual Drain, Single  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain, Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain, Single   Current, Drain 210 A  International Rectifier Current, Drain 210 A  MOSFET Transistors Current, Drain 210 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 210 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 4  International Rectifier Number of Pins 4  MOSFET Transistors Number of Pins 4  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 4   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 300 W  International Rectifier Power Dissipation 300 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W   Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 93 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 93 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 93 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 93 ns   Time, Turn-On Delay 150 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 150 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 150 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 150 ns   Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC V @ 10  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC V @ 10  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC V @ 10  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC V @ 10   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.82mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  
    電話:400-900-3095
    QQ:800152669
    關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
    Copyright © 2017 m.habitrun.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號