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AUIRF3205Z - 

AUIRF3205Z N-channel MOSFET Transistor, 110 A, 55 V, 4-Pin TO-220AB

International Rectifier AUIRF3205Z
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
AUIRF3205Z
倉庫庫存編號(hào):
70411496
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View AUIRF3205Z Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫數(shù)量,謝謝合作!

AUIRF3205Z產(chǎn)品概述

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • AUIRF3205Z產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  3450 pF V @ 25  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain, Single  
      Current, Drain  110 A  
      Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
      Height  0.65" (16.51mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  4  
      Package Type  TO-220AB  
      Power Dissipation  170 W  
      Resistance, Drain to Source On  6.5 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  45 ns  
      Time, Turn-On Delay  18 ns  
      Typical Gate Charge @ Vgs  76 nC V @ 10  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.19" (4.83mm)  
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